简介： 本发明是有关于一种有机膜的CMP研浆，包括氧化剂及溶剂。本发明的有机膜的CMP研浆具有通过方程式(1)所呈现的为约5°至90°的Δθ_w，其为水接触角变化，且在将涂布有有机膜而待研磨的晶圆，浸渍于CMP研浆中10小时之后所测量。