简介： 本发明涉及一种多晶硅环的化学机械抛光方法，依次包括将硅环和无纺布抛光垫安装在抛光机上、粗抛、精抛步骤；粗抛中的粗抛液的成分为氧化铝（0.23‑0.26μm）10%‑40%，金刚石（0.32‑0.34μm）0.2%‑5%，水60%‑90%；精抛中的精抛液成分为胶体SiO2（90‑120nm）0.8%‑1%，SiO2（40‑45nm）0.3%‑0.5%，哌嗪0.08%‑0.12%，氢氧化四甲基铵0.01%‑0.05%,纯水＞98%；在粗抛过程中将含有纳米金刚石的抛抛液分散在无纺布抛光垫上，粗抛液中氧化铝微粉能够降低硅环表面粗糙度，减小亚表面损伤层深度，提高抛光效率，在精抛过程中，精抛液能够实现化学作用与机械作用的良好匹配，保证抛光硅晶片高去除速率的同时，避免抛光雾等缺陷的形成，提高抛光后表面质量，抛光方法后硅环平面度＜20μm，破损层DOD=0um，经检测抛光合格。