简介： 本发明涉及一种用于集成电路多层互连结构金属化学机械抛光(CMP)的抛光液原位批处理方法及所使用的装置。创新点在于利用电化学工作原理,将抛光产生的金属离子还原转移达到去除的目的,同时恢复抛光液中氧化剂的功能。所述的装置是在传统的单头或多头抛光系统中,增加抛光液原位批处理系统和抛光盘的在线修复,使抛光速率和抛光过程均匀性信息在线检测,将现有抛光工序和抛光液原处理工序集为一体。与现有抛光液一次性消耗工艺相比,不仅可以减少抛光液的消耗,而且可以减少抛光液后处理所带来的不便,是解决集成电路化学机械抛光工艺高成本的一种有效方法和设备。