基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用
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基于CsPbBr3/GO同型异质结构的分子印迹光电化学传感器及其制备方法和应用
来源:北方有色网
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简介: 本发明公开了一种基于钙钛矿量子点(CsPbBr3)和氧化石墨烯(GO)同型异质结构的分子印迹传感器的制备及其用于黄曲霉毒素B1(AFB1)的检测。本发明以CsPbBr3包裹或负载在氧化石墨烯的褶皱里面构建同型异质结构,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为疏水层,并结合分子印迹技术,成功制备了分子印迹光电化学传感器。本发明制备的传感器以CsPbBr3和GO形成的同型异质结作为光电转换层,聚甲基丙烯酸甲酯作为保护层,并通过表面修饰含有毒素识别位点的分子印迹膜来实现AFB1的检测。该传感器具有检测范围宽,选择性好,灵敏度高,检测限高达0.74pg·mL‑1;同时响应稳定,具有良好的重现性。
本发明公开了一种基于钙钛矿量子点(CsPbBr3)和氧化石墨烯(GO)同型异质结构的分子印迹传感器的制备及其用于黄曲霉毒素B1(AFB1)的检测。本发明以CsPbBr3包裹或负载在氧化石墨烯的褶皱里面构建同型异质结构,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为疏水层,并结合分子印迹技术,成功制备了分子印迹光电化学传感器。本发明制备的传感器以CsPbBr3和GO形成的同型异质结作为光电转换层,聚甲基丙烯酸甲酯作为保护层,并通过表面修饰含有毒素识别位点的分子印迹膜来实现AFB1的检测。该传感器具有检测范围宽,选择性好,灵敏度高,检测限高达0.74pg·mL‑1;同时响应稳定,具有良好的重现性。
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标签:化学分析
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