简介： 本发明公开了一种还原型谷胱甘肽光电化学传感器的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：步骤a、在氧化铟锡ITO导电玻璃基底上制备RGO/M‑TiO2复合功能层；步骤b、在覆有所述RGO/M‑TiO2复合功能层的基底表面生长氧化锌纳米棒；步骤c、制备三电极体系的还原型谷胱甘肽光电化学传感器。本发明的还原型谷胱甘肽光电化学传感器的制备方法工艺简单，成本低，只需在生长氧化锌的基底上旋涂一层复合功能层即可；该方法可同时促进氧化锌纳米棒电极材料生长和光生载流子分离的作用，改善器件的光电转换效率，从而显著提升还原型谷胱甘肽GSH氧化锌光电化学传感器的检测性能。