简介:
本发明提供的化学气沉积设备的进气结构和进气方法的技术方案中,通过利用浓度检测单元检测进气管路上源气体的当前浓度值,并利用控制单元根据该当前浓度值和目标浓度值控制流量调节单元调节工艺气体的流量值,可以调节反应腔室中的工艺气体的质量,以使工艺气体中的源气体的质量等于目标质量。这样,可以实现在不同时刻制备衬底时反应腔室中的工艺气体中源气体的质量一致,从而保证反应腔室中硅片生长速率的一致性,提高硅片的厚度一致性,进而提高产品良率。另外,本发明还提供了一种化学气相沉积设备。
本发明提供的化学气沉积设备的进气结构和进气方法的技术方案中,通过利用浓度检测单元检测进气管路上源气体的当前浓度值,并利用控制单元根据该当前浓度值和目标浓度值控制流量调节单元调节工艺气体的流量值,可以调节反应腔室中的工艺气体的质量,以使工艺气体中的源气体的质量等于目标质量。这样,可以实现在不同时刻制备衬底时反应腔室中的工艺气体中源气体的质量一致,从而保证反应腔室中硅片生长速率的一致性,提高硅片的厚度一致性,进而提高产品良率。另外,本发明还提供了一种化学气相沉积设备。