简介： 在化学机械抛光装置及其控制方法中,根据待抛光层的抛光工艺制程制备有关终点检测部件的检测光量的待抛光层的初始厚度表。输入层的抛光工艺制程,并通过将光投射到半导体晶片上,使用终点检测部件检测由层反射的光量。抛光工艺之前参考有关检测光量的层的初始厚度表计算层的厚度作为检测到的光量。抛光到需要的厚度之前,由计算的厚度计算抛光时间。抛光待抛光的层的同时,通过减小计算的抛光时间来检测终点。然后,当检测到终点时,终止抛光工艺。通过仅将程序添加到常规的CMP装置的控制器,可以精确地控制抛光终点,并且可以提高操作条件和效率。