溶液生长法,在氧化铟锡导电基底表面沉积二氧化硅纳米通道,采用含有盐酸的乙醇溶液去除残余的溶液,制得二氧化硅/氧化铟锡复合材料;采用等离子沉积法在氧化铟锡/二氧化硅表面修饰聚二甲基硅氧烷基,制得氧化铟锡/二氧化硅@聚二甲基硅氧烷电极。本发明还公开了一种电化学修饰电极检测咖啡因的方法制备的二氧化硅纳米通道@聚二甲基硅氧烷修饰的氧化铟锡电极及其在咖啡因检测中的应用。本发明公开的修饰电极对于测定既有具有疏水性又具有亲水性的双亲性化合物具有高选择性,高灵敏性且制备时间短。">
电化学修饰电极及其制备方法和应用
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电化学修饰电极及其制备方法和应用
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简介: 本发明公开了一种电化学修饰电极的制备方法,包括:通过溶液生长法,在氧化铟锡导电基底表面沉积二氧化硅纳米通道,采用含有盐酸的乙醇溶液去除残余的溶液,制得二氧化硅/氧化铟锡复合材料;采用等离子沉积法在氧化铟锡/二氧化硅表面修饰聚二甲基硅氧烷基,制得氧化铟锡/二氧化硅@聚二甲基硅氧烷电极。本发明还公开了一种电化学修饰电极检测咖啡因的方法制备的二氧化硅纳米通道@聚二甲基硅氧烷修饰的氧化铟锡电极及其在咖啡因检测中的应用。本发明公开的修饰电极对于测定既有具有疏水性又具有亲水性的双亲性化合物具有高选择性,高灵敏性且制备时间短。
本发明公开了一种电化学修饰电极的制备方法,包括:通过溶液生长法,在氧化铟导电基底表面沉积二氧化硅纳米通道,采用含有盐酸的乙醇溶液去除残余的溶液,制得二氧化硅/氧化铟锡复合材料;采用等离子沉积法在氧化铟锡/二氧化硅表面修饰聚二甲基硅氧烷基,制得氧化铟锡/二氧化硅@聚二甲基硅氧烷电极。本发明还公开了一种电化学修饰电极检测咖啡因的方法制备的二氧化硅纳米通道@聚二甲基硅氧烷修饰的氧化铟锡电极及其在咖啡因检测中的应用。本发明公开的修饰电极对于测定既有具有疏水性又具有亲水性的双亲性化合物具有高选择性,高灵敏性且制备时间短。
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标签:化学分析
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