简介:
本发明公开了一种塞替派分子印迹电化学传感器制备方法,其特征在于,首先采用硅烷偶联剂、纳米金修饰玻碳电极;然后在反应器中,按如下组成质量百分浓度加入,水:66~74%,丙烯酸?1,2,3?三羧酸:6~14%,马来酸酐:6~14%,二亚乙基三胺:3~8%,过流酸钾:2.0~4.0%,塞替派:1.0~3.0%,即得塞替派分子印迹聚合物溶胶;再将塞替派分子印迹聚合物溶胶滴涂到修饰电极上,去除模板分子,即得塞替派分子印迹电化学传感器。该传感器对塞替派具有较高的识别性能,传感器成本低、灵敏度高、特异性好、检测快速,可反复使用,分子印迹传感器对塞替派的响应大大提高。
本发明公开了一种塞替派分子印迹
电化学传感器制备方法,其特征在于,首先采用
硅烷偶联剂、纳米金修饰玻碳电极;然后在反应器中,按如下组成质量百分浓度加入,水:66~74%,丙烯酸?1,2,3?三羧酸:6~14%,马来酸酐:6~14%,二亚乙基三胺:3~8%,过流酸钾:2.0~4.0%,塞替派:1.0~3.0%,即得塞替派分子印迹聚合物溶胶;再将塞替派分子印迹聚合物溶胶滴涂到修饰电极上,去除模板分子,即得塞替派分子印迹电化学传感器。该传感器对塞替派具有较高的识别性能,传感器成本低、灵敏度高、特异性好、检测快速,可反复使用,分子印迹传感器对塞替派的响应大大提高。