简介： 本发明提供了一种形成填充有金属的沟槽结构的方法,该方法包括:提供一半导体衬底,在半导体衬底上依次沉积形成刻蚀终止层、第二绝缘层和第一绝缘层;在第一绝缘层的表面涂布光阻胶层,并曝光显影图案化所述光阻胶层,图案化光阻胶层的开口用于定义沟槽的位置;以所述图案化的光阻胶层为掩膜,对第一绝缘层和第二绝缘层依次进行刻蚀,在刻蚀终止层停止刻蚀,形成沟槽;在所述沟槽内填充金属,所述金属的高度高于所述第一绝缘层的高度。本发明还提供了一种根据上述方法形成的沟槽结构,以及适用于该沟槽结构的化学机械研磨方法。本发明在化学机械研磨过程中提高了晶片与晶片间的金属方块电阻均匀性。