简介:
本发明是一种适用于汞离子检测、吸附和移除的复合型纳米比率荧光化学传感器的制备方法。传感器化学表达式为:Fe3O4@SiO2/CdTe/SiO2@mSiO2‑Rh6G。制备方法如下,制备四氧化三铁纳米粒子;制备表面氨基化的无孔二氧化硅包覆的四氧化三铁纳米粒子;制备包埋发红色荧光CdTe 量子点的磁性二氧化硅纳米粒子;制备包埋发红色荧光CdTe量子点的磁性介孔二氧化硅纳米粒子;制备多功能复合型纳米比率荧光化学传感器。利用磁性介孔二氧化硅纳米粒子将信号参比单元及检测单元整合在一起的这种技术方案一方面可以大大简化传统比率荧光传感器复杂的分子结构设计和合成路线,只需通过更换不同的信号参比和信号检测单元就能实现对不同目标物的检测要求。
本发明是一种适用于汞离子检测、吸附和移除的复合型纳米比率荧光化学
传感器的制备方法。传感器化学表达式为:Fe
3O
4@SiO
2/CdTe/SiO
2@mSiO
2‑Rh6G。制备方法如下,制备四氧化三铁纳米粒子;制备表面氨基化的无孔二氧化硅包覆的四氧化三铁纳米粒子;制备包埋发红色荧光CdTe 量子点的磁性二氧化硅纳米粒子;制备包埋发红色荧光CdTe量子点的磁性介孔二氧化硅纳米粒子;制备多功能复合型纳米比率荧光化学传感器。利用磁性介孔二氧化硅纳米粒子将信号参比单元及检测单元整合在一起的这种技术方案一方面可以大大简化传统比率荧光传感器复杂的分子结构设计和合成路线,只需通过更换不同的信号参比和信号检测单元就能实现对不同目标物的检测要求。