简介： 本发明提供一种化学机械研磨方法,该方法包括以下步骤:提供多个具有相似或相同图形的硅片,这些硅片均具有硅衬底和位于该硅衬底之上的待研磨层,使用化学机械研磨设备将待研磨层研磨至目标位置,再进行一定时间Top的过研磨,其中,使用终点检测装置来监测研磨终点及监测到该终点后发出开始所述过研磨的指示,并由该终点检测装置测得硅片被正常研磨时抵达所述终点所经历的平均研磨时间T1,其中,该方法还包括:当多个硅片中的一个硅片被研磨至终点时所经历的实际研磨时间T小于T1的70%-85%时,将该硅片的过研磨时间Top延长至Top+(T1-T)。