简介： 本发明涉及大间距硅基三维结构电化学腐蚀的方法,该方法包括光刻硅片、配置腐蚀液、电化学腐蚀前的准备、电化学腐蚀的实施和后处理步骤,其中:在光刻硅片时是利用光刻机和图形掩模将硅片进行光刻;配置负极腐蚀液时,是在5～8M的KOH溶液中加入质量浓度为99.7%的分析纯异丙醇使之体积比为1∶(1.2～1.45),或将质量浓度40%的氢氟酸、质量浓度99.5%的二甲基甲酰胺和水混合使之体积比为(2.5～3.5)∶(14～18)∶1;组成正极的腐蚀液,是将质量浓度96%的分析纯NH4F、质量浓度40%的HF和水混合,使之体积比为3∶6∶10。本发明具有工艺简单,容易实施,可获得大间距硅基三维结构等优点。