简介： 本发明提供一种用于抛光三维半导体或存储器衬底的化学机械(CMP)抛光垫，所述抛光垫包含热固性反应混合物的聚氨酯反应产物的抛光层，所述热固性反应混合物具有固化剂4，4′‑亚甲基双(3‑氯‑2，6‑二乙基苯胺)(MCDEA)或MCDEA与4，4′‑亚甲基‑双‑邻‑(2‑氯苯胺)(MbOCA)的混合物，和聚异氰酸酯预聚物，所述预聚物由以下形成且具有8.6至11wt.％的未反应异氰酸酯(NCO)浓度：一种或两种芳香族二异氰酸酯，如甲苯二异氰酸酯(TDI)，或芳香族二异氰酸酯与脂环族二异氰酸酯的混合物，和聚四亚甲基醚二醇(PTMEG)、聚丙二醇(PPG)的多元醇，或PTMEG与PPG的多元醇掺合物。所述抛光层中的所述聚氨酯根据ASTM D2240‑15(2015)具有50至90的肖氏D硬度、在65℃具有70至500MPa的剪切存储模量(G′)，且在50℃具有0.06至0.13的阻尼分量(G″/G′，通过剪切动态力学分析(DMA)所测量，ASTM D5279‑08(2008))。