简介:
本发明创造提供一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法,该检测方法首先通过化学机械抛光的方法制备8英寸抛光片;然后通过X荧光光谱仪检测硅抛光片中的痕量元素并进行数据分析;最终得出各痕量元素的种类和含量。本发明创造具有的优点和积极效果是:采用半导体制造技术企业常用设备全反射X荧光光谱仪对8英寸抛光片痕量元素,不需要复杂的样品前期处理过程,测定步骤简单,高效快速,检测结果准确度高,有着广阔的应用前景。
本发明创造提供一种检测8英寸抛光片痕量元素的检测方法,该检测方法首先通过化学机械抛光的方法制备8英寸抛光片;然后通过X荧光光谱仪检测硅抛光片中的痕量元素并进行数据分析;最终得出各痕量元素的种类和含量。本发明创造具有的优点和积极效果是:采用半导体制造技术企业常用设备全反射X荧光光谱仪对8英寸抛光片痕量元素,不需要复杂的样品前期处理过程,测定步骤简单,高效快速,检测结果准确度高,有着广阔的应用前景。