简介： 本发明涉及一种用于光电池的纹理定量评价的光学方法和装置。本发明的方法和装置适于通过在支撑光电池的衬底的表面上生长相关的几何图案来表征的纹理形态。前述形态可以使用不同的方法形成,包括单晶Si的化学侵蚀,该形态具有朝上的和倒置的角锥。本发明的方法还可以用于在多晶体Si中生长出来的其它纹理程度以及在已经在前述条件下预先进行了纹理化的衬底上沉积的多晶硅电池中存在的纹理的程度。还可以将本发明扩展到具有类似纹理图案的其它材料。