简介： 一种调节平整表面的方法,设备和介质包括:将待抛光的晶片放在具有抛光垫(102)和调节盘(108)的化学机械抛光(CMP)设备(100)中,在第一套垫调节参数下抛光该晶片,选择该套参数是为将晶片材料去除速率保持在预选的最小和最大去除速率范围内;确定出现在该抛光步骤期间的晶片材料去除速率;计算校正的垫调节参数以将晶片材料去除速率保持在最大和最小去除速率范围内;以及用该校正的垫调节参数调节该抛光垫,其中该校正的垫调节参数用垫磨损和调节模型计算,该模型基于该调节盘的旋转速度和方向预测该抛光垫的该晶片材料去除速率。