简介： 一种化学机械研磨方法及化学机械研磨装置，可将基板装载于化学机械研磨(CMP)装置上，化学机械研磨装置包括研磨垫及支撑基板的晶圆载体。晶圆载体包括背侧板、晶圆载体框架以及至少一光学垂直位移量测单元。光学垂直位移量测单元包括相应激光源及相应像素化影像感测器。使用全反射几何形状使激光束反射离开背侧板的顶面。在CMP制程期间可在至少一反射点下方的每一位置量测基板的研磨部分的研磨速率或研磨厚度。