简介： 一种化学机械抛光设备,此化学机械抛光设备是至少由抛光机台、第一厚度量测仪与第二厚度量测仪所构成,其中第一厚度量测仪是与抛光机台连接,而第二厚度量测仪是与抛光机台连接。由于第一厚度量测仪与第二厚度量测仪可以以原位的方式,用以量测抛光工艺后所保留下来的第一材料层与第二材料层的厚度,因此可以减少晶片之间的膜厚差异。