简介： 本发明公开了一种掺杂元素对HfO2铁电薄膜畴结构影响的相场分析方法。该方法包括建立极化序参量的总能量方程；基于所述总能量方程建立基于掺硅元素影响的力场控制方程、极化场控制方程和电场控制方程；基于掺杂元素的化学能和梯度能建立掺杂元素能量方程；基于所述掺杂元素能量方程建立浓度场控制方程；根据所述力场控制方程、极化场控制方程、电场控制方程和浓度场控制方程建立铁电薄膜的相场计算模型；基于所述相场计算模型，通过调整掺杂元素的浓度和分布方式模拟所述HfO2铁电薄膜的相变规律。该方法通过引入掺杂元素的掺杂元素能量方程，使得HfO2铁电薄膜的相场计算模型能够为掺杂元素的浓度和分布方式提供优化指导。