简介： 本发明公开了一种Flash产品的ONO薄膜缺陷的失效分析方法，包括对待分析Flash样品的上表面各层进行减薄处理，露出含有ONO薄膜缺陷的储存单元的第一多晶硅层区域，使用选择性化学溶液对第一多晶硅层进行腐蚀去除，露出ONO薄膜，在ONO薄膜缺陷处，通过化学溶液继续对该缺陷下方的第二多晶硅层进行腐蚀去除，对被腐蚀的ONO薄膜缺陷处进行定位，并制备缺陷平面样品，供进一步进行缺陷观察及失效分析。本发明可以更方便、准确且更精细地分析Flash产品的ONO薄膜缺陷，大大提高失效分析的效率，从而帮助迅速提高Flash产品的良率和可靠性。