简介： 本发明公开了一种使用X-射线特征谱对SiGe薄膜进行定量分析的方法,该方法包括使用CVD(化学气相沉积)SiGe(锗硅)标准多层渐变薄膜作为标准样品,使用SIMS(二次离子质谱仪)测定其成分,并作为SiGe的X-射线特征谱(EDS)分析中的标准成分;以及由此获得的能够对SiGe工艺薄膜进行EDS定量分析的技术方法(包括由实验获得的,适用于SiGe工艺薄膜定量分析的Cliff-Lorimer因子,系数KSiGe)。本发明填补了SiGe薄膜项目和X-射线特征谱对材料定量分析的技术空白,其过程简单、可操作性强,大大降低了生产费用,并提高效率。