简介： 本发明提供一种利用新型化学改性手段制备高性能光电探测器的方法，步骤如下：1.将纳米级厚度的过渡金属硫属化合物转移到Si/SiO₂基底上；2.旋涂一层百纳米级厚度的光刻胶层，后在烘胶台上烘烤；3.运用电子束曝光的方法，曝光出电极图形，经显影和定影后，在该器件上沉积金属纳米层；4.将上述器件浸泡丙酮中进行剥离，洗去残留的丙酮，再将器件吹干；5.旋涂一层PMMA层；6.制备出具有长方形区域使器件沟道的一部分暴露；7.制备出CTAB溶液；8.将上述器件浸泡于CTAB溶液之中；本发明所制备的横向匀质p‑n结具有良好的光电特性；所采用微纳米加工制备光电探测芯片单元，操作简便，可控性强，重复性好。