简介： 本发明公开一种测量二氧化硅层厚度的方法,应用于化学机械研磨过程中。此方法先化学机械研磨一测试芯片上,在测试芯片研磨过程中,利用傅立叶转换红外线光谱仪与椭圆仪测量测试芯片数次,以获得一校正曲线。然后,再用化学机械研磨一测量芯片上的二氧化硅层,二氧化硅层形成于氮化硅层上方,在此测量芯片的研磨过程中的一时间点利用傅立叶转换红外线光谱仪测量此测量芯片,并通过内插校正曲线,以获得二氧化硅层在此时间点的厚度。