简介： 一种监控测量半导体薄膜结构的厚度变化方法,通过半导体上的测试区测量监控在化学机械研磨过程中半导体上元件区薄膜结构的厚度变化,该方法是蚀刻测试区的薄膜结构,使蚀刻后测试区薄膜结构的图案密度实质近似于元件区薄膜结构的图案密度,以利于化学机械研磨工艺中实质仿真该元件区薄膜结构的厚度变化。