简介： 本发明涉及用于检测流体中的离子的微传感器(100)，该微传感器(100)包括：场效应晶体管(5)，该场效应晶体管(5)具有源极(51)、漏极(52)、在源极(51)与漏极(52)之间的有源区(54)以及被设置在有源区(54)上方的栅极(53)；有源层(4)，在该有源层(4)中形成有源区(54)；介电层(3)，该介电层(3)被设置在有源层(4)下方；支撑基板(1)，该支撑基板(1)被定位在介电层(3)下方并且包括至少一个掩埋腔(2)，所述至少一个掩埋腔(2)位于晶体管(5)的栅极(53)下方以便容纳流体。