简介:
本申请公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置,包括:谐振腔;沉积台,设置于谐振腔内,包括基板以及为基板降温的冷却装置,该冷却装置包括冷却水回路,所述冷却水回路上设置有VCR接头。本申请还公开了一种极高真空的控制方法,包括:建立真空腔体的静态压升力曲线,其中,横坐标为时间,纵坐标为压力,并控制:曲线的起始点小于1.0×10‑11Pa;曲线切线斜率小于1.0×10‑8pa/min;真空腔体的总泄露率小于10‑8Pa.l/s。本发明可以有效的解决微波等离子体化学气相沉积装置的泄露,可以明显提供钻石生产的品质。
本申请公开了一种微波等离子体化学气相沉积装置,包括:谐振腔;沉积台,设置于谐振腔内,包括基板以及为基板降温的冷却装置,该冷却装置包括冷却水回路,所述冷却水回路上设置有VCR接头。本申请还公开了一种极高真空的控制方法,包括:建立真空腔体的静态压升力曲线,其中,横坐标为时间,纵坐标为压力,并控制:曲线的起始点小于1.0×10‑11Pa;曲线切线斜率小于1.0×10‑8pa/min;真空腔体的总泄露率小于10‑8Pa.l/s。本发明可以有效的解决微波等离子体化学气相沉积装置的泄露,可以明显提供钻石生产的品质。