简介： 本发明所述的实施例关于在化学机械抛光制程中检测目标基板的终点的方法。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：以第一薄膜移除速率抛光一或多个参考基板以提供参考光谱；以第二薄膜移除速率抛光一或多个目标基板以提供一或多个目标基板的当前光谱，其中第二薄膜移除速率不同于第一薄膜移除速率；基于在抛光一或多个参考基板过程中收集的参考光谱，使用所获得的一系列终点值来识别形成于一或多个目标基板上不同层之间的界面转变。