简介： 一种用于多晶硅化学机械研磨制程中缺陷检测晶圆（控片）的制作方法，在硅衬底上沉积一薄层氧化硅薄膜后，再在氧化硅层上沉积一层氮化硅阻挡层，然后再在氮化硅阻挡层上沉积一层多晶硅薄膜，并在循环使用中保留该氮化硅层。本发明增加了氮化硅阻挡层，可以有效解决在控片的循环使用过程中对硅衬底造成损伤产生COP缺陷而影响测机结果的问题，从而减少检测过程的误差，获得能够真实表征机器性能的检测数据。