简介： 本发明描述了基于表面声波(SAW)换能器和二维电子气(2DEG)或二维空穴气(2DHG)导电结构的组合的射频识别(RFID)传感器的实施方案，及其在化学检测和(生物)分子诊断中的用途。SAW RFID传感器芯片包含在其上沉积多层异质结结构的压电衬底。所述异质结结构包括至少两层即缓冲层和阻挡层，其中两层均由III‑V单晶或多晶半导体材料诸如Ga N/Al Ga N生长。转换SAW的叉指换能器(IDT)安装在所述阻挡层的顶部。2DEG或2DHG导电沟道形成在所述缓冲层和所述阻挡层之间的界面处，并且在连接到所形成的沟道的非欧姆(电容耦合)源极和漏极接触之间的系统中提供电子或空穴电流。