简介： 一种检测源极多晶硅经化学机械研磨后表面异常的方法，采用KT电子扫描显微镜对源极多晶硅经化学机械研磨后的表面进行检测，KT电子扫描显微镜持续发射原生入射电子对源极多晶硅表面进行扫描，源极多晶硅表面的价电子被激发，形成二次电子，然后KT电子扫描显微镜侦测源极多晶硅表面被激发出的二次电子并成像，异常表面的成像亮度大于正常表面的成像亮度。本发明能够简单有效地检测到源极多晶硅的表面异常，降低了晶片受损的可能性。