用立方Ia3d结构介孔碳CMK-8直接电化学传感器检测痕量卡巴氧的方法
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用立方Ia3d结构介孔碳CMK-8直接电化学传感器检测痕量卡巴氧的方法
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简介: 本发明涉及一种用立方Ia3d结构介孔碳CMK‑8直接电化学传感器测定痕量卡巴氧的方法。本发明采用立方Ia3d结构介孔碳CMK‑8修饰玻碳电极,将所构建的传感器用于卡巴氧的直接测定。当卡巴氧在0.5nM~500.0nM浓度范围内时,电化学信号响应与卡巴氧的浓度呈良好的线性关系,方法检出限为74.4pM。本发明显著提高了卡巴氧检测的灵敏度,对于低浓度卡巴氧的检测易于自动化。
本发明涉及一种用立方Ia3d结构介孔碳CMK‑8直接电化学传感器测定痕量卡巴氧的方法。本发明采用立方Ia3d结构介孔碳CMK‑8修饰玻碳电极,将所构建的传感器用于卡巴氧的直接测定。当卡巴氧在0.5nM~500.0nM浓度范围内时,电化学信号响应与卡巴氧的浓度呈良好的线性关系,方法检出限为74.4pM。本发明显著提高了卡巴氧检测的灵敏度,对于低浓度卡巴氧的检测易于自动化。
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标签:化学分析
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