简介： 本发明公开了一种检测HE4的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用，该光电化学免疫传感器由由Nb2共价结合到MWCNTs‑PDA‑AuNPs修饰后的基底电极上，HE4抗原与Nb2特异性结合，Nb3@nPCN‑224与HE4抗原特异性结合制得。本发明利用光电化学免疫法提高了传感器的抗干扰性，同时使用的光活性物质nPCN‑224具有很好的生物相容性，可以负载大量的生物分子，还具有很强的光电活性，以此来提高传感器的灵敏度。本发明制备的光电免疫传感器，操作简单，反应迅速，灵敏度高，抗干扰性强，稳定性佳，能够实现对于痕量抗原HE4的检测，为开发出用于临床诊断的优异平台提供了新思路。