简介： 本发明公开了一种检测浅槽隔离直接化学机械抛光氮化硅残留的方法及结构;包括以下步骤:步骤一、在衬底上制作一层埋层和一层主动区,埋层和主动区之间有交叠的部分,埋层交叠的部分在主动区之下;步骤二、进行浅槽隔离工艺直接化学机械抛光;步骤三、在浅槽隔离工艺直接化学机械抛光之后去除氮化硅;步骤四、进行检测,判断是否有氮化硅残留。本发明可以简单快捷的检测浅槽隔离工艺直接化学机械抛光氮化硅残留,为优化修正工艺提供可靠的保障。