简介： 本发明属于半导体纳米材料光电化学传感器技术领域，公开了一种定量检测一价铊的光电化学方法。本发明以表面富硫的硫化铟作为光电极，该电极在‑0.6V下出现了强烈的硫表面态氧化电流。当光电极与一价铊离子接触后，一价铊与硫的特异性原子级结合降低了硫表面态浓度，从而触发光电流信号的淬灭。淬灭幅度与铊离子浓度成正比，反应可以在溶液pH为2和6的条件下发生。该方法通过在晶体材料表面人工合成具有特定功能的表面态，利用该表面态诱导目标检测物一价铊在晶体界面发生原子级特异性反应。利用反应前后界面电荷移转动力学速率变化所触发的光电转化电流信号的显著变化，实现了对毒性金属一价铊的光电化学定量分析。