简介： 本发明属无机非金属粉体材料技术领域，具体涉及一种碳化硅晶须的生产方法。为解决目前国内外碳化硅晶须生产方法单产效率低，成本高，污染大，易团聚，品质低的问题，提供一种新型高温气化物理生产方法。该方法选用高纯碳化硅晶体为原料，经激光气化高温生长炉高温分解气化，再经高温合成生长，冷却、收集，得到直径为纳米‑亚微米‑微米的碳化硅晶须。采用该工艺可生产出高纯度，高品质α‑碳化硅晶须，粒径2nm～1.5μm，可精准控制，长径比40～200，本方法通过控制合成温度和合成时间量程亦可得到纳米碳化硅微粉和碳化硅纳米线。生产过程少废气，无废水、固体废弃物排出，并且投资少，产量高，可用于规模化工业生产。