简介： 本发明公开了一种生产含硫化合物半导体的方法，包括：在工艺室(3)中为含硫化合物半导体提供至少一个涂覆有前体(4)的基底(5)；在工艺室(3)中对涂层基底(5)进行热处理，其中，在热处理期间，在工艺室(3)中输入包含至少一种气态硫族化合物的工艺气体；将涂层基底(5)热处理后存在的气体作为废气从工艺室(3)中移除；在气体处理器(13)中冷却废气。其中，在对所述涂层基底(5)进行热处理后的废气中存在的多个气态硫族化合物通过各自转化为液体或固体的形式在时间和空间上彼此从废气中分离。本发明还提供了一种用于执行上述方法的装置。