简介： 光伏晶体硅加工废砂浆综合处理技术：按照申请号201110101064.7《光伏电池晶体硅加工废砂浆综合处理新方法》处理晶体硅加工废砂浆，完成分离、回收废砂浆中的PEG和铁后，把由SiC、Si微粉组成的二元砂进行气流分离处理，得到SiC≥90％、Si≤10％、粒度5-30um的SiC微粉；Si≥95％、SiC≤5％、粒度≤10um的Si微粉；把SiC微粉加入适量的粘合剂压制成型，经干燥后用N2≥95％的氮气，1100-1650℃在氮化烧结炉氮化烧结，得到以氮化硅为结合剂的碳化硅陶瓷制品；把Si微粉利用压缩N2喷入气流床反应器，形成旋流，以利于3Si+2N2＝Si3N4-733kJ反应的进行和反应产物的收集回收，控制反应温度在1000-1600℃左右，实现氮化硅粉体的无球磨连续生产。