简介： 本实用新型提出了一种半导体激光器芯片，包括：自下而上依次为N面散热结构、N面电极、N区外延层、有源区、P区外延层、P面电极和P面散热结构，所述N面电极通过生长衬底的转换方式形成。本实用新型的激光器芯片中的生长衬底能够重复利用，生长衬底的As不会带入激光器制备的后续工艺流程，降低工业废水的污染治理成本；避免了可能导致机械损伤的研磨过程，进而提高了半导体激光器的质量可靠性，使得其具有明显的技术先进性和良好的经济效益。