简介： 本发明公开了一种硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备厚度为300-600nm的单颗粒层纳米金刚石薄膜；(2)采用离子注入方法，在步骤(1)中得到的单颗粒层纳米金刚石薄膜中注入硼离子，得到硼离子注入的薄膜；(3)将步骤(2)中得到的硼离子注入的薄膜真空退火，即制得所述硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜。本发明制备的硼掺杂单颗粒层纳米金刚石薄膜，具有优异的电化学性能，特别具有较好的电化学催化性能，可用于有机废水的电化学催化氧化处理中。