简介： 本发明公开合成制药高级氧化装置及合成制药废水高级氧化处理工艺，合成制药高级氧化装置包括壳体、及催化剂载体，壳体内部的上方固定有至少一根横杆，横杆的两端分别固定在壳体的两侧壁上，横杆的两端部均开设有若干卡槽，卡槽的槽口均朝上，壳体的内部设置有阳极板和阴极板，阳极板和阴极板的上部均开设有用于横杆穿过的通孔，通孔内均延伸有与卡槽配合的凸出部，合成制药废水高级氧化处理工艺包括以下步骤：S1：混凝沉淀处理、S2：高级氧化处理、S3：微生物降解处理、以及二次沉淀处理。本发明的合成制药高级氧化装置的阳极板和阴极板可调节，调节方式简单快捷，处理效率高。