简介： 一种形成化合物膜的方法,包括步骤:制备源材料,其包括含有ⅠB-ⅢA族合金的颗粒,至少具有一个ⅠB-ⅢA族合金相,ⅠB-ⅢA族合金在所述源材料中构成大于大约50摩尔百分比的ⅠB族元素及大于大约50摩尔百分比的ⅢA族元素;在一基底上以先质膜形式沉积所述源材料;以及在合适的环境下加热所述先质膜,以形成含有ⅠB-ⅢA-ⅥA族化合物的膜。该方法适用于制造太阳能电池和其它电子器件。