简介： 本发明一种太阳能级纯度硅的制备方法,提供一种杂质总含量低于10PPMA,B<2PPMA,P<6PPMA,电阻率>0.3Ω.CM的硅的制备方法。以工业硅粉作为原材料,经过简单的化学预处理后,将硅粉和复配造渣剂混匀装在感应熔炼炉内的石英坩埚内,在微真空或常压下,向熔炼炉内吹入保护性气体;感应加热,使炉内温度达1450℃-1700℃,将金属硅熔炼成硅熔体;进行造渣除杂,本方法能有效降低硅中B的含量,使B<2PPMA,能够满足新工艺制造低成本太阳能电池对硅原料的一般要求。本发明生产工艺简单,生产成本低,易于规模化生产,且投资少,建设周期短。