NETZSCH LFA 457 MicroFlash® 仪器为桌上型,温度范围 -125 ... 1100°C。为了覆盖这一温度范围,提供了两种可自由切换的炉体。 系统所使用的全新的红外传感器技术使得用户甚至可以在 -125°C 的低温下测量样品背部的温升曲线。 仪器既可使用内置的自动样品切换器在一次升温中对多个较小的样品进行测量,也可单独测量较大的样品(*大直径 25.4mm)。 真空密闭系统使得仪器可以在多种用户可选的气氛中进行测量。 样品支架、炉体与检测器的垂直式排布方便了样品的放置与更换,同时使得检测信号拥有*佳的信噪比。 LFA 457 是强大与灵活的 LFA 系统,适用于包括汽车制造、航空航天与能源技术在内的各种领域的常规材料与新型高性能材料的表征。 |
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下图为 AgPb18Te20 150 oC到370 oC温度范围内的导热系数测试结果。晶格导热系数可以根据测试得到的导热系数计算得到。AgPb18Te20的总导热系数(λtot) 和晶格导热系数(λlatt) 呈现出温度依赖性。
插图为 Ag1-xPb18BiTe20 (x = 0, 0.3) 和 AgPb18BiTe20 (用 + 表示) 的导热系数温度依赖性比较。
Ag1-xPb18MTe20 (M = Bi, Sb); Kanatzidis et al., Northwestern University, IL, USA [1]
Netzsch LFA 457 MicroFlash® 测试,样品尺寸为 Φ12.7 mm*2 mm。
在碲化铅材料 PbTe-Ge 和 PbTe-Ge1-xSix 中,通过调整 Ge 和 Si 的含量可以很容易调节合金的导热系数。
下图结果是在 25℃ 到 320℃ 温度范围内获得。图A 显示 Ge 不同的含量对 PbTe 的晶格导热系数有很大的影响。在整个温度范围内,随着 Ge 含量的降低,晶格导热系数降低。另外,在上述体系加入 Si 元素后,晶格导热系数进一步降低(图B)。当 Ge 和 Si 的混合比例不变,将 Ge0.8Si0.2 含量降低时,可以看到类似的行为(图C)。图D 显示当Ge-/Ge-si 的比例为 5% 时能够得到*佳晶格导热系数。
[2] Sootsman, Joseph R.; He, Jiaqing; Dravid, Vinayak P., Li, Chang-Peng; Uher, Ctirad; Kanatzidis, Mercouri G. High Thermoelectric Figure of Merit and Improved Mechanical Properties in Melt Quenched PbTe – Ge and PbTe – Ge1-xSix Eutectic and Hyper-eutectic Composites J. Appl. Phys. (2009), 105, 083718. (LFA 457 MicroFlash® 测试)
LFA 457 MicroFlash® 配有恒温水浴,以保证温度与长时间工作的稳定性。 提供多种类型的真空泵,可以使得测试在真空或纯净无氧的惰性气氛下进行。 流量计,用于调节吹扫气体的流量。 由 SiC 或石墨制成的样品支架与样品罩,适用于标准样品尺寸。 提供由铂金、铝、蓝宝石等材料制成的多种类型不同尺寸的样品支架或样品容器,用于测量液体样品、熔融金属、矿渣与纤维等特殊样品。 提供用于热扩散系数验证的标准样品。 提供用于比热测试的参比样品。 制样设备。 |