CVD二氧化硅/硅基底单层二硫化钨
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CVD二氧化硅/硅基底单层二硫化钨
来源:江苏先丰纳米材料科技有限公司
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简介:
货号CAS号编号包装参数1010357440-33-7XF1661盒基底尺寸:9mmx9mm产品名称中文名称:CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钨英文名称:SingleLayerWS2onSiO2/Si性
产品详细
货号
CAS号
编号
包装
参数
101035
7440-33-7
XF166
1 盒
基底尺寸: 9 mmx9 mm
产品名称
中文名称:CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钨
英文名称:Single Layer WS2 on SiO2/Si
性质
形态:薄膜
参数
基底:二氧化硅/硅
氧化层:300nm
基底尺寸:9 mmx9 mm
WS2片径大小:20-50 μm
厚度:0.6~0.8 nm
应用
该类材料缺陷少,光学性质优良,层数可控,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料。
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标签:CVD二氧化硅/硅基底单层二硫化钨
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