CVD二氧化硅/硅基底单层二硫化钨
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CVD二氧化硅/硅基底单层二硫化钨
来源:江苏先丰纳米材料科技有限公司
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简介: 货号CAS号编号包装参数1010357440-33-7XF1661盒基底尺寸:9mmx9mm产品名称中文名称:CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钨英文名称:SingleLayerWS2onSiO2/Si性
产品详细


货号CAS号编号包装参数
1010357440-33-7XF1661 盒基底尺寸: 9 mmx9 mm


产品名称

中文名称:CVD氧化硅/硅基底单层二硫化钨

英文名称:Single Layer WS2 on SiO2/Si

性质

形态:薄膜

参数

基底:二氧化硅/硅

氧化层:300nm

基底尺寸:9 mmx9 mm

WS2片径大小:20-50 μm

厚度:0.6~0.8 nm

应用

该类材料缺陷少,光学性质优良,层数可控,是研究层数和荧光效应和制备器件的优异材料。

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标签:CVD二氧化硅/硅基底单层二硫化钨
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