样品名称 进口硒化锗GeSe晶体 性质 半导体带隙 待实验确定 参数 纯度：＞99.995%尺寸：:~8mm，其他尺寸可定制颜色：黑色 应用 半导体电子器件，传感器-探测器，非线性光学，STM-AFM实验，光学器件等研究  单晶 GeSe (Germanium Diselenide) 是利用我们实验室技术生长。我们生长的每块单晶耗时3个月左右以保证我们为您提供晶格的单晶。每块单晶都是有很好的结晶性，分子层间距有较弱的范德华作用力，层状结构以保证易于剥离。单层GeSe具有具有很好的光学性质，机械性质和光学性质。 我们实验室有着进5年的单晶生长经验，每块晶体都有很好的可重复性。单晶 GeSe块体的尺寸可以达到10mm级别，纯度可以达到99.995% 甚至更高的纯度。单 晶 GeSe 没有其他的杂相，没有其他的非晶相。我们的GeSe单晶具有很大的晶畴，可以得到很大的单层。 另外我们还提供免费的机械剥离和转移技术。