设备特点

    台阶高度：几纳米至1000um

    微力恒力控制：0.03mg至50mg

    样品全直径扫描，无需图像拼接

    视频：500万像素高分辨率彩色摄像机

    圆弧矫正：消除由于探针的弧形运动引起的误差

    生产能力：通过测序，模式识别和SECS/GEM实现全自动化

    主要应用

    薄膜/厚膜台阶

    刻蚀深度测量

    光阻/光刻胶台阶

    柔性薄膜

    表面粗糙度/波纹度表征

    表面曲率和轮廓分析

    薄膜的2D Stress量测

    表面结构分析

    表面3D轮廓成像

    缺陷表征和分析

    其他多种表面分析功能

 P-7可以提供纳米级到1000μm的2D和3D台阶高度的测量。 这使其能够量化在蚀刻，溅射，SIMS，沉积，旋涂，CMP和其他工艺期间沉积或去除的材料。P-7具有恒力控制功能，无论台阶高度如何都可以动态调整并施加相同的微力。这保证了良好的测量稳定性并且能够测量诸如光刻胶的软性材料。

    纹理：粗糙度和波纹度

    P-7提供2D和3D纹理测量并量化样品的粗糙度和波纹度。软件滤镜功能将测量值分为粗糙度和波纹度部分，并计算诸如均方根（RMS）粗糙度之类的参数。

    外形：翘曲和形状

    P-7可以测量表面的2D形状或翘曲。这包括对晶圆翘曲的测量，例如半导体或化合物半导体器件生产中的多层沉积期间由于层与层的不匹配是导致这种翘曲的原因。P-7还可以量化包括透镜在内的结构高度和曲率半径。

    应力：2D和3D薄膜应力

    P-7能够测量在生产包含多个工艺层的半导体或化合物半导体器件期间所产生的应力。 使用应力卡盘将样品支撑在中性位置并精确测量样品翘曲。然后通过应用Stoney方程，利用诸如薄膜沉积工艺的形状变化来计算应力。2D应力通过在直径达200mm的样品上通过单次扫描测量，无需图像拼接。3D应力的测量采用多个2D扫描，并结合θ平台在扫描之间的旋转对整个样品表面进行测量。

    缺陷复检

    缺陷复查用于测量如划痕深度之类的缺陷形貌。缺陷检测设备找出缺陷并将其位置坐标写入KLARF文件。“缺陷复检”功能读取KLARF文件、对准样本，并允许用户选择缺陷进行2D或3D测量。