锑掺锗靶材(SbGe)基本信息
分子式： Sb-Ge
纯度： 99.999%
锑掺锗靶材(SbGe)产品概况
锑掺锗靶材采用区域熔炼高纯锗锭(≥99.9999%)与蒸馏提纯锑锭(≥99.995%)，通过垂直梯度凝固法(VGF)+ 超精准掺杂工艺制备的N型半导体靶材。核心特性包括：
•原子级掺杂控制(Sb掺杂浓度 0.1-10at.%，绝对偏差≤±0.05at.%)
•超大单晶结构(单晶直径 ≤400mm，位错密度 <10² cm⁻²)
•极端纯度保障(杂质总量 <0.1ppm，关键受主元素 B<0.01ppb)
•零内应力晶格(晶格畸变 <0.001%，XRD半峰宽≤15 arcsec)
•在低温溅射中实现膜层载流子迁移率≥1600 cm²/V·s，红外截止波长可调至 **≥14μm**，突破硅基材料光电性能极限。
核心价值源于量子化掺杂技术
➊ 电学性能革命
·载流子浓度精密调控(5x1014~2x1019cm-³线性可控)·超低接触电阻(欧姆接触电阻率 ≤5x10-72·cm?)
➋ 红外光电革命
·宽谱响应调控(截止波长3~15um 可编程设计暗电流抑制(77K下暗电流密度 <10-“ A/cm?)
➌ 极端环境稳定性
·抗位移损伤(1Mev电子辐照后性能衰减<8%)
·热循环耐受性(77K↔300K循环 **>1000次**无开裂)
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京公网安备 11010702002294号
