钽钨合金靶材(TaW)基本信息
分子式： Ta-W
纯度： 99.95%
钽钨合金靶材(TaW)产品概况
钽钨合金靶材采用电子束精炼钽锭(≥99.95%)与高纯钨粉(≥99.97%)，通过等离子旋转电极+热等静压(HIP) 工艺制备的超高温合金靶材。核心特性包括：
•超宽固溶范围(W 10-50wt.%精密可控，单相固溶体占比≥99%)
•纳米梯度晶界(晶粒尺寸 0.3-5μm，梯度分布标准差<10%)
•极端纯净度(O<300ppm，C<150ppm，N<100ppm)
•零缺陷致密体(相对密度>99.8%，孔隙率<0.01%)
在磁控溅射中实现膜层高温强度>1200MPa@2000℃，抗中子辐照损伤**>60dpa**，刷新难熔金属高温性能极限。
核心价值源于晶界工程革命性突破
➊ 极限高温性能
·高温持久强度(2200°C/100h蠕变断裂时间**>80h**)
·热电子发射稳定性(2000°C逸出功波动<0.05ev)
➋ 核辐照免疫特性
·抗嬗变产物脆化(氦泡肿胀率 <0.1% @60dpa)
·中子吸收截面优化(热中子吸收截面 降低40% vs.纯钽)
➌ 极端环境适配
·低活性壁特性(等离子体污染系数 Zeff<1.2)
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京公网安备 11010702002294号
