钨硅合金靶材(WSi)基本信息
分子式： WSi
纯度： 99.9%
钨硅合金靶材(WSi)产品概况
钨硅靶材采用电子束熔炼钨粉(≥99.995%)与半导体级
多晶硅(≥99.9999%)，通过反应等离子烧结(RPS)+热等静压(HIP)工艺制备的超高温互连功能靶材。核心特性包括：
•纳米晶相调控(Si 15-40at.%精准可控，WSi₂相占比≥95%)
•原子级扩散壁垒(W/Si界面过渡层 ≤1.2nm)
•超低氧污染(O<15ppm，C<8ppm，金属杂质<0.1ppm)
•极端热稳定性(熔融硅中溶解度 <0.001wt.% @1500℃)
•在磁控溅射中实现膜层接触电阻 ≤3.5μΩ·cm²**，抗电迁移寿命**>10⁷h@3MA/cm²**，突破3nm
芯片互连技术极限。
核心价值源于硅化物纳米屏蔽效应
➊ 芯片级互连性能
•超低界面电阻(Co/wSi,势垒高度 ≤0.12ev)
·量子隧穿抑制(漏电流密度 <10-"A/cm'@0.5V)
➋ 极端工艺耐受
•抗原子层蚀刻(ALE工艺选择比 **>100:1 vs.SiO,**)
•热预算兼容性(耐快速热退火 ≤1200°C/1ms)
➌ 量子级热管理
•热膨胀精准匹配(CTE:4.2x10-6/K，匹配Si±5%)
•声子输运调控(界面热导 **>120MW/m²K**)
钨硅合金靶材(WSi)产品应用
钨硅薄膜具有电阻率低、热稳定性强及抗化学腐蚀性能优异等特点,是半导体集成电路重要的构成部分,主要作为栅极接触层、扩散阻挡层或者黏附层等来进行使用。
◉ 3nm以下逻辑芯片
▸ GAA晶体管接触孔填充(电阻均匀性 σ<2%)
▸ 背面供电网络(BDN)通孔(深宽比 **>20：1**无空洞)
◉ 高端存储芯片
▸ DRAM存储节点隔离层(漏电抑制 **>1000倍 vs.TiN**)
▸ 3D NAND阶梯接触孔(台阶覆盖均匀性 **>95%**)
◉ 功率半导体器件
▸ SiC MOSFET肖特基接触(耐压强度 **>1700V**)
▸ GaN HEMT场板金属化(热阻 <0.5K·mm/W)
◉ 量子计算芯片
▸ 超导量子比特屏蔽层(微波损耗 <10⁻⁶光子/脉冲)
▸ 自旋量子比特电极(磁噪声 <1nT/√Hz)
0
0
0
0
0
宣传 
宣传 
宣传 
京公网安备 11010702002294号
